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NP80N04MHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
300
100
T A = ? 40 ?C
25 ?C
75 ?C
250
200
V GS = 10 V
10
150 ?C
175?C
150
100
1
50
0.1
1
2
3
4
V DS = 10 V
5
6
0
0
1
2
3
Pulsed
4
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
V DS = 10 V
Pulsed
50
Pulsed
10
T A = 175 ?C
40
30
1
75 ?C
0.1
25 ?C
? 40 ?C
20
10
I D = 40 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
I D = 250 μ A
20
Pulsed
4.0
V DS = V GS
3.0
10
V GS = 10 V
2.0
1.0
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D17860EJ2V0DS
T ch - Channel Temperature - ?C
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